Anna Gina Perri, Edizioni Progedit, Bari, 2011, ISBN 978-88-6194-081-9

Il volume è dedicato allo studio dei meccanismi di funzionamento dei dispositivi elettronici più avanzati. In particolare vengono presi in esame dispositivi elettronici basati su eterogiunzioni (Cap. 1), quali HBT (Cap. 2), MESFET ed HEMT (Cap.3), illustrandone gli aspetti innovativi e mettendo in evidenza anche i risultati più originali ed interessanti della ricerca dell’Autrice nel settore della fisica, caratterizzazione e modellistica dei dispositivi in GaAs, svolta in un trentennio di attività universitaria.
Per ciascun dispositivo sono esaminati i modelli matematici necessari per formalizzarne i principi fisici di funzionamento ed i vari modelli circuitali, per grandi e piccoli segnali e di rumore (Cap. 4).
Una particolare attenzione viene posta ai modelli di dispositivi dedicati al CAD di circuiti integrati e nella descrizione dei cosiddetti “effetti del secondo ordine”. In questo ambito, un intero capitolo (Cap. 5), dedicato all’analisi ed al progetto full-custom dei circuiti integrati con l’ausilio del calcolatore, rappresenta una utile e veloce guida all’impiego del simulatore PSPICE.
Il Cap. 6 affronta lo studio delle principali tecniche di processo per la realizzazione di circuiti ULSI. In particolare vengono studiati i dispositivi bipolari e MOS nanometrici, mettendo in evidenza le problematiche connesse ad una miniaturizzazione spinta del dispositivo e le soluzioni tecnologiche previste.
Nel Cap. 7 vengono esaminate alcune delle tecnologie impiegate per realizzare dispositivi per le memorie, a partire dalla classica struttura del MOS floating gate, del FLOTOX, del MNOS, del SONOS, proseguendo per le innovative memorie a nanocristalli fino ad arrivare alle memorie di ultimissima generazione ferroelettriche e magnetiche.
Lo studio dei nanotubi di carbonio, con particolare riguardo ai CNTFET, e l’esame delle problematiche connesse all’insorgenza di effetti quantistici nei dispositivi nanoelettronici sono affrontati nei Cap. 8 e 9.
Infine il Cap. 10 è dedicato all’esame dei principali dispositivi optoelettronici, con l’obiettivo di dare al testo connotazioni di completezza, per quanto possibile, in un settore così vasto e complesso.
Si ritiene che il testo possa essere particolarmente adatto agli studenti dei Corsi di Laurea Magistrale in Ingegneria, Fisica e Scienza dei Materiali.

Anna Gina Perri, Edizioni Progedit, Bari, 2010, ISBN 978-88-6194-080-2

Lo scopo del libro è lo studio dei meccanismi di funzionamento dei dispositivi elettronici di base con particolare attenzione allo sviluppo dei loro modelli matematici e circuitali, necessari per l’analisi ed il progetto dei dispositivi stessi, e all’esame delle tecnologie realizzative.
La parte introduttiva del volume, dedicata agli elementi di elettronica quantistica (Cap. 1), alla fisica e ai fenomeni di trasporto dei materiali semiconduttori (Cap. 2 e 3), costituisce una buona base propedeutica utile alla comprensione dei capitoli, che trattano con notevole dettaglio i principi di funzionamento dei vari dispositivi.
Una ampia sezione (Cap. 4) viene dedicata ai principali processi tecnologici utilizzati per la realizzazione di dispositivi e circuiti integrati in Si e GaAs.
Inoltre vengono esaminati i contatti Metallo-Semiconduttore (Cap. 5), le omogiunzioni in silicio ed in arseniuro di gallio (Cap. 6), i dispositivi bipolari BJT ad omogiunzione (Cap. 7), unipolari JFET (Cap. 8), MOSFET (Cap. 9) e i principali dispositivi di potenza (Cap. 10).
Per ciascun dispositivo sono esaminati i modelli matematici necessari per formalizzarne i principi fisici di funzionamento ed i vari modelli circuitali, per grandi e piccoli segnali a seconda del tipo di applicazione richiesto al dispositivo.
Una particolare attenzione è posta ai modelli di dispositivi dedicati al CAD ed alla descrizione dei cosiddetti “effetti del secondo ordine”.
In ogni capitolo vengono proposti diversi esercizi, le cui soluzioni sono sviluppate nel volume di A.G. Perri: “Problemi di Analisi e Progetto dei Dispositivi a Semiconduttore” (Edizioni Progedit, ISBN 978-88-6194-029-1). L’introduzione di questi esercizi ha lo scopo non solo di conferire una impostazione applicativa agli elementi teorici sviluppati ma anche di stimolare il lettore ad una personale analisi dei criteri di progetto presentati nel testo.
Nelle intenzioni dell’Autrice è che il testo, per il suo taglio didattico e per gli esercizi applicativi presenti, possa essere particolarmente adatto agli studenti dei Corsi di Laurea in Ingegneria, Fisica e Scienza dei Materiali.

Anna Gina Perri, Edizioni Biblios, Bari, 2007, ISBN 978-88-6225-000-9

ESAURITO

Anna Gina Perri, Edizioni Progedit, Bari, 2008, ISBN 978-88-6194-029-1

Il presente libro illustra l’applicazione della fisica, della tecnologia e dei modelli dei dispositivi elettronici a semiconduttore ai fini dell’analisi e progetto dei circuiti integrati in Silicio ed in Arseniuro di Gallio. L’organizzazione del testo si basa su un voluto equilibrio fra richiami teorici essenziali ed esempi pratici, proposti sotto forma di esercizi risolti. I primi capitoli sono dedicati a richiami di elettronica quantistica, teoria delle bande di energia, fenomeni di trasporto nei semiconduttori ed elementi relativi ai processi tecnologici. Segue la trattazione di contatti metallo/semiconduttore e giunzioni. In particolare vengono prese in esame, oltre alla “classica” omogiunzione, anche le “eterogiunzioni”, mediante le quali vengono introdotte le basi per lo studio ed il progetto di dispositivi di ultima generazione, quali i MESFET con buffer in AlGaAs, gli HEMT e gli HBT, che stanno suscitando interessi applicativi sempre maggiori. Nei capitoli sui transistori, bipolari e ad effetto di campo in Si e GaAs, viene posta particolare attenzione anche ai modelli per il CAD, che costituiscono il necessario ponte tra prestazioni del dispositivo e del circuito. Ritengo, infatti, che per un progetto affidabile sia necessaria non solo una approfondita conoscenza dei principi fisici che regolano il funzionamento dei dispositivi elettronici, ma anche la capacità di applicare tali principi teorici per la verifica e l’ottimizzazione dei risultati ottenuti con gli strumenti CAD. Per gli argomenti e gli esempi trattati credo che il testo possa essere particolarmente adatto agli studenti dei Corsi di Laurea in Ingegneria Elettronica, Fisica e Scienza dei Materiali e di indubbia utilità in corsi propedeutici alla progettazione elettronica.

Anna Gina Perri, Edizioni Progedit, Bari, 2009, ISBN 978-88-6194-045-1

Il volume si propone di fornire agli studenti universitari, cui è principalmente indirizzato, i necessari elementi di analisi e di progettazione dei circuiti integrati analogici lineari e, in parte, non lineari, maggiormente diffusi nelle applicazioni della microelettronica. L’impiego del noto simulatore circuitale PSPICE, per progettare e verificare il funzionamento dei circuiti, è indice della predilezione del testo verso la progettazione automatica dei circuiti integrati.Per una migliore esposizione degli argomenti vengono proposti numerosi esempi numerici, nel corso della trattazione “teorica” degli argomenti, allo scopo di andare incontro alle esigenze del lettore, chiamato a “sperimentare” per apprendere, mentre acquisisce nuovi contenuti.